Hersteller Produktnummer:
TSM052NB03CR RLG
Product Overview
Hersteller:
Taiwan Semiconductor Corporation
Teilenummer:
TSM052NB03CR RLG-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 30V 17A/90A 8PDFN
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 30 V 17A (Ta), 90A (Tc) 3.1W (Ta), 83W (Tc) Surface Mount 8-PDFN (5x6)
Inventar:
4980 Stück Neu Original Auf Lager
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TSM052NB03CR RLG Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Taiwan Semiconductor
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
30 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
17A (Ta), 90A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
5.2mOhm @ 17A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
41 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
2294 pF @ 15 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
3.1W (Ta), 83W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
8-PDFN (5x6)
Paket / Koffer
8-PowerTDFN
Basis-Produktnummer
TSM052
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
2,500
Andere Namen
1801-TSM052NB03CRRLGDKR
1801-TSM052NB03CRRLGTR
1801-TSM052NB03CRRLGCT
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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